基于3纳米的全环绕栅极（Gate-All-AroundT，简称GAA）制程有望成为半导体行业的游戏规则改变者。 三星电子计划在未来三年内透过建立3纳米GAA制程，赶上台积电。

GAA

GAA 是一种下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前 FinFET 制程中的三个侧面。 GAA 结构可以比 FinFET 制程更精确地控制电流。 根据集邦咨询的数据，2021年第4季度，台积电占全球代工市场的52.1%，远超三星电子的18.3%。

追赶台积电，三星计划2025年量产基于GAA的2纳米芯片

三星电子押注将GAA技术应用到3纳米制程以赶上台积电。 据报导，这家韩国半导体巨头在6月初将晶圆置于3纳米GAA制程中进行试量产，成为世界上第一家使用GAA技术的公司。 它正在寻求通过技术飞跃立即缩小与台积电的差距。 与5纳米制程相比，3纳米制程将半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时芯片面积减少了35%。

继今年上半年将GAA技术应用于其3纳米制程后，三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片，并在2025年量产基于GAA的2纳米芯片。 台积电的战略是今年下半年进入3nm半导体市场，采用稳定的FinFET制程，而三星电子则押注GAA技术。

专家表示，如果三星在基于GAA的3纳米制程中确保稳定的良率，它可以成为代工市场的游戏规则改变者。 台积电预计将从 2nm 芯片开始引入 GAA 制程，并在 2026 年左右发布第一款产品。 对于三星电子来说，未来三年将是关键时期。

近日，三星宣布将在未来五年内向半导体等关键行业投资总计450万亿韩元。 然而，在推进3纳米过程中存在诸多障碍。 与三星一样，台积电在提高3nm制程良率方面也存在困难。

三星电子也面临着类似的情况。 晶圆已投入3纳米制程中试量产，但由于良率低的问题，该公司一直延后正式量产公告。 现代汽车证券研究主管Roh Keun-chang表示：「除非三星电子为其7纳米或更先进的制程获得足够的客户，否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑。」